开启左侧

铁电存储器的耐久性设计要求

[复制链接]
avatar 发表于 2023-12-5 17:08:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
铁电存储器       


  铁电存储器是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器(内存)。FRAM的数据保持不仅不需要备用电池,而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比是具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。

  耐力

  SRAM具有无限的耐久性,可以无限地对其进行读写。FRAM具有高(数量),将应用程序限制为读取或写入单个字节不超过指定的周期数。缓解的最佳方法是通过设计知道实现是正确的。这可以通过了解有关软件使用的一些细节来实现:

  1.实际使用的SPI实现是什么(SPI数据宽度和时钟速率)?设置时钟和数据宽度也会影响连续访问之间的时间。

  2.产品在一段时间内处于闲置状态还是闲置状态?不活动的时间段(例如仅会在50%的时间内使用产品的使用模型)即使在访问时间较短的情况下也可以实现产品生命周期的目标。

  3.是否可以使用大型顺序访问来访问关键数据结构?SPI访问允许顺序操作,从而增加地址。仅通过将顺序传输添加到这些设备访问中,就可以缓解持久性问题。

  4.对软件中单个存储器位置进行操作之间最短的时间是什么?这可能取决于所使用的数据结构(LIFO与FIFO),还是取决于存储器是否用作暂存器(两次使用之间的时间,由MCU衡量)。这还取决于实现的MCU是否将SPI接口用作外围设备或用作内存映射设备。外围设备要求每个命令的设置和拆卸时间,从而延长了两次操作到同一位置的时间。内存映射的设备可能需要测量程序的调用和返回,以确定两次堆栈操作之间最坏情况的时间。


221640
comiis_nologin
您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册 wechat_login1  qq_login wechat_login

本版积分规则

关闭

社区推荐 上一条 /1 下一条

快速回复 返回顶部 返回列表